熱氧化工藝及生長原理討論
擴散原理
擴散方程及擴散雜質(zhì)分布
擴散方法
擴散層質(zhì)量參數(shù)及擴散工藝條件選擇
擴散引起的外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布
離子注入原理及分析
光刻工藝及其工藝要求
光刻缺陷及影響
其它光刻技術(shù)簡介
光刻工藝對光刻版的質(zhì)量要求
常規(guī)制版工藝
光刻底版及其制備
隔離工藝與原理
隔離工藝
表面鈍化工藝及原理概述
二氧化硅-硅系統(tǒng)中的電荷
表面內(nèi)電極接觸與互連
Verilog HDL中reg寄存器類型
Integer寄存器類型
Verilog HDL操作數(shù)
Verilog HDL無符號數(shù)和有符號數(shù)
按位操作符
Verilog HDL歸約操作符
Verilog HDL連接和復(fù)制操作
Verilog HDL的多輸入門
Verilog HDL的多輸出門
Verilog HDL隱式線網(wǎng)
Verilog HDL主從觸發(fā)器舉例
Verilog HDL奇偶電路
集成晶體管的版圖設(shè)計
Verilog HDL 結(jié)構(gòu)建模--模塊定義結(jié)構(gòu)
Verilog HDL 行為建模
Verilog HDL行為建模--- 順序語句塊
IITC關(guān)注的下一代低k介質(zhì)材料
銅線上使用鈷封層的優(yōu)越性
薄膜生長中的表面動力學(xué)間題
硅－硅直接鍵合工藝機理和模擬的研究
鍍銀銅粉導(dǎo)電涂料的制備及腐蝕失效研究
靈活的互連設(shè)計
推動串行互連革命
Mellanox 公司突破 10Gb/s 高速互連產(chǎn)品的價格壁壘
我國微電子發(fā)展概況
IC設(shè)計業(yè)面對嚴峻形勢
SBD在TTL中起到的嵌位作用
場區(qū)寄生MOSFET
晶閘管的外形結(jié)構(gòu)
版圖設(shè)計的準備工作
退火
二氧化硅層的主要作用
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