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參數(shù)資料
| 型號： | EDD5116AFTA-7B-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits DDR SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 5/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 567K |
| 代理商： | EDD5116AFTA-7B-E |
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EDD5108AFTA, EDD5116AFTA
Data Sheet E0699E20 (Ver. 2.0)
5
DC Characteristics 1 (TA = 0
°
C to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)
max.
Parameter
Symbol
Grade
×
8
×
16
Unit
Test condition
Notes
Operating current (ACT-PRE)
IDD0
-6B
-7A, -7B
105
95
105
95
mA
CKE
≥
VIH,
tRC = tRC (min.)
CKE
≥
VIH, BL = 4,
CL = 2.5,
tRC = tRC (min.)
1, 2, 9
Operating current
(ACT-READ-PRE)
IDD1
-6B
-7A, -7B
140
130
140
130
mA
1, 2, 5
Idle power down standby current
IDD2P
5
5
mA
CKE
≤
VIL
4
Floating idle standby current
IDD2F
-6B
-7A, -7B
30
25
30
25
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH,
DQ, DQS, DM = VREF
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH,
DQ, DQS, DM = VREF
4, 5
Quiet idle standby current
IDD2Q
20
20
mA
4, 10
Active power down standby current
IDD3P
30
30
mA
CKE
≤
VIL
3
Active standby current
IDD3N
55
55
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
tRAS = tRAS (max.)
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 2.5
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 2.5
tRFC = tRFC (min.),
Input
≤
VIL or
≥
VIH
Input
≥
VDD – 0.2 V
Input
≤
0.2 V
3, 5, 6
Operating current
(Burst read operation)
Operating current
(Burst write operation)
IDD4R
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
185
155
185
160
205
195
185
155
185
160
205
195
mA
1, 2, 5, 6
IDD4W
mA
1, 2, 5, 6
Auto Refresh current
IDD5
mA
Self refresh current
IDD6
5
5
mA
Operating current
(4 banks interleaving)
Notes: 1. These IDD data are measured under condition that DQ pins are not connected.
2. One bank operation.
3. One bank active.
4. All banks idle.
5. Command/Address transition once per one clock cycle.
6. DQ, DM and DQS transition twice per one clock cycle.
7. 4 banks active. Only one bank is running at tRC = tRC (min.)
8. The IDD data on this table are measured with regard to tCK = tCK (min.) in general.
9. Command/Address transition once every two clock cycles.
10. Command/Address stable at
≥
VIH or
≤
VIL.
IDD7A
-6B
-7A, -7B
380
345
380
345
mA
BL = 4
1, 5, 6, 7
DC Characteristics 2 (TA = 0
°
C to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
Symbol
min.
max.
Unit
Test condition
Notes
Input leakage current
ILI
–2
2
μA
VDD
≥
VIN
≥
VSS
Output leakage current
ILO
–5
5
μA
VDDQ
≥
VOUT
≥
VSS
Output high current
IOH
–15.2
—
mA
VOUT = 1.95V
Output low current
IOL
15.2
—
mA
VOUT = 0.35V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDD5116AFTA | 512M bits DDR SDRAM |
| EDD51321CBH | 512M bits DDR SDRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| EDD5116AGTA-4 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
| EDD5116AGTA-4B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
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