參數(shù)資料
型號： EDE1108ABSE-5C-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1G bits DDR2 SDRAM
中文描述： 128M X 8 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA68
封裝： ROHS COMPLIANT, FBGA-68
文件頁數(shù)： 67/82頁
文件大?。?/td> 618K
代理商： EDE1108ABSE-5C-E
EDE1104ABSE, EDE1108ABSE, EDE1116ABSE
Data Sheet E0852E50 (Ver. 5.0)
67
NOP
CK
/CK
T0
T-1
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Tn
Command
DQS, /DQS
DQ
Auto precharge begins
out0
out2
out1
out3
Posted
READ
ACT
≥
tRP
≥
tRAS(min.)
A10 = 1
tRC (min.)
CL = 3
RL = 5
AL = 2
Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank (tRAS lockout case)
(RL = 5, BL = 4 (AL = 2, CL = 3))
NOP
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DQS, /DQS
DQ
≥
tRC
Auto precharge begins
out0
out2
out1
out3
Posted
READ
ACT
NOP
≥
tRAS(min.)
tRP (min.)
CL = 3
AL = 2
A10 = 1
RL = 5
Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank (tRP limit)
(RL = 5, BL = 4 (AL = 2, CL = 3, tRTP
≤
2tCK))
READ
ACT
/CK
CK
T0
T2
T4
T6
T8
T10
T1
T3
T5
T7
T9
T11
Command
DQS, /DQS
DQ
NOP
RL = 5
AL = 2
A10 = 1
CL = 3
≥
tRP
Auto precharge begins
out0 out1 out2 out3 out4 out5 out6 out7
≥
tRC
≥
tRAS (min.)
Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank
(RL = 5, BL = 8 (AL = 2, CL = 3, tRTP
≤
2tCK))
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDE1108ABSE-6C-E 1G bits DDR2 SDRAM
EDE1108ABSE-6E-E 1G bits DDR2 SDRAM
EDE1108ABSE-8E-E 1G bits DDR2 SDRAM
EDE1116ABSE 1G bits DDR2 SDRAM
EDE1116ABSE-4A-E 1G bits DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EDE1108ABSE-6C-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
EDE1108ABSE-6E-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
EDE1108ABSE-8E-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
EDE1108ACBG 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
EDE1108ACBG-5C-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*