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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE1116ABSE-5C-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 73/82頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 618K |
| 代理商： | EDE1116ABSE-5C-E |
EDE1104ABSE, EDE1108ABSE, EDE1116ABSE
Data Sheet E0852E50 (Ver. 5.0)
73
Read with Auto Precharge to Power-Down Entry
CK
Command
CKE
DQ
DQS
/DQS
Command
CKE
DQ
DQS
/DQS
AL + BL/2
with tRTP = 7.5ns
and tRAS min. satisfied
/CK
Start internal precharge
AL + CL
CKE should be kept high
until the end of burst operation.
CKE should be kept high
until the end of burst operation.
AL + CL
BL=4
BL=8
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
READA
PRE
READA
out
0
out
1
out
2
out
3
out
0
out
1
out
2
out
3
out
4
out
5
out
6
out
7
AL + BL/2
with tRTP = 7.5ns
and tRAS min. satisfied
PRE
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
Write to Power-Down Entry
CK
Command
CKE
DQS
Command
CKE
DQ
DQS
/DQS
/CK
WL
BL=4
BL=8
/DQS
tWTR
WL
tWTR
DQ
in
0
in
1
in
2
in
3
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
T1
Tm
Tm+2
Tx+4
Tx+5
Tx+6
WRIT
WRIT
in
0
in
1
in
2
in
3
in
4
in
5
in
6
in
7
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2104ABSE | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2104ABSE-5C-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2104ABSE-6E-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2104ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE | 2G bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE1116ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ACBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ACBG-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ACBG-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ACBG-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
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