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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE1116ABSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 1G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 1克位DDR2 SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 10/82頁 |
| 文件大小： | 618K |
| 代理商： | EDE1116ABSE |
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EDE1104ABSE, EDE1108ABSE, EDE1116ABSE
Data Sheet E0852E50 (Ver. 5.0)
10
AC Timing for IDD Test Conditions
For purposes of IDD testing, the following parameters are to be utilized.
DDR2-800
DDR2-667
DDR2-667
DDR2-533
DDR2-400
Parameter
5-5-5
4-4-4
5-5-5
4-4-4
3-3-3
Unit
CL (IDD)
5
4
5
4
3
tCK
tRCD (IDD)
12.5
12
15
15
15
ns
tRC (IDD)
57.5
57
60
60
55
ns
tRRD (IDD)-
×
4/
×
8
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
ns
tRRD (IDD)-
×
16
10
10
10
10
10
ns
tFAW (IDD)-
×
4/
×
8
35
37.5
37.5
37.5
37.5
ns
tFAW (IDD)-
×
16
50
50
50
50
ns
tCK (IDD)
2.5
3
3
3.75
5
ns
tRAS (min.)(IDD)
45
45
45
45
40
ns
tRAS (max.)(IDD)
70000
70000
70000
70000
70000
ns
tRP (IDD)
12.5
12
15
15
15
ns
tRFC (IDD)
127.5
127.5
127.5
127.5
127.5
ns
IDD7 Timing Patterns for 8 Banks
The detailed timings are shown in the IDD7 Timing Patterns for 8 Banks tables.
[
×
4/
×
8 organization]
Speed bins
Timing Patterns
DDR2-400
A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 A4 RA4 A5 RA5 A6 RA6 A7 RA7
DDR2-533
A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 D D A4 RA4 A5 RA5 A6 RA6 A7 RA7 D D
DDR2-667
A0 RA0 D A1 RA1 D A2 RA2 D A3 RA3 D D A4 RA4 D A5 RA5 D A6 RA6 D A7 RA7 D D
DDR2-800
A0 RA0 D A1 RA1 D A2 RA2 D A3 RA3 D D D A4 RA4 D A5 RA5 D A6 RA6 D A7 RA7 D D D
[
×
16 organization]
Speed bins
Timing Patterns
DDR2-400
A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 D D A4 RA4 A5 RA5 A6 RA6 A7 RA7 D D
DDR2-533
A0 RA0 D A1 RA1 D A2 RA2 D A3 RA3 D D D A4 RA4 D A5 RA5 D A6 RA6 D A7 RA7 D D D
DDR2-667
A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 D D D A4 RA4 D D A5 RA5 D D A6 RA6 D D A7 RA7 D D D
Remark: A = Active. RA = Read with auto precharge. D = Deselect
Notes: 1. All banks are being interleaved at minimum tRC (IDD) without violating tRRD (IDD) and tFAW (IDD) using
a Burst length = 4.
2. Control and address bus inputs are STABLE during DESELECTs.
3. IOUT = 0mA.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE1116ABSE-4A-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ABSE-5C-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2104ABSE | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2104ABSE-5C-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2104ABSE-6E-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE1116ABSE-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ACBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ACBG-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
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