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參數(shù)資料
| 型號： | EDE2108ABSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 第二代位DDR2 SDRAM內存 |
| 文件頁數(shù)： | 6/81頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | EDE2108ABSE |
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EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
6
Recommended DC Operating Conditions (SSTL_18)
Parameter
Symbol
min.
typ.
max.
Unit
Notes
Supply voltage
VDD
1.7
1.8
1.9
V
4
Supply voltage for output
VDDQ
1.7
1.8
1.9
V
4
Input reference voltage
VREF
0.49
×
VDDQ
0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ
V
1, 2
Termination voltage
VTT
VREF
0.04
VREF
VREF + 0.04
V
3
DC input logic high
VIH (DC)
VREF + 0.125
VDDQ + 0.3
V
DC input low
AC input logic high
-8G, -6E
-5C
AC input low
-8G, -6E
-5C
VIL (DC)
0.3
VREF – 0.125
V
VIH (AC)
VREF
+
0.200
V
VIH (AC)
VREF + 0.250
V
VIL (AC)
VREF – 0.200
V
VIL (AC)
VREF
0.250
V
Notes: 1. The value of VREF may be selected by the user to provide optimum noise margin in the system. Typically
the value of VREF is expected to be about 0.5
×
VDDQ of the transmitting device and VREF are expected
to track variations in VDDQ.
2. Peak to peak AC noise on VREF may not exceed
±
2% VREF (DC).
3. VTT of transmitting device must track VREF of receiving device.
4. VDDQ tracks with VDD, VDDL tracks with VDD. AC parameters are measured with VDD, VDDQ and
VDDL tied together.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE-5C-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE-5C-E | 256M bits DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108AEBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
| EDE2108AEBG-8E-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
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