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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE2108ABSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 第二代位DDR2 SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/81頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | EDE2108ABSE |
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EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
7
AC Overshoot/Undershoot Specification
Parameter
Pins
Specification
Unit
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Command, Address,
CKE, ODT
0.5
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDD
DDR2-800
DDR2-667
0.5
V
0.66
V-ns
0.8
V-ns
DDR2-533
Maximum undershoot area below VSS
DDR2-800
DDR2-667
1.0
V-ns
0.66
V-ns
0.8
V-ns
DDR2-533
1.0
V-ns
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
CK, /CK
0.5
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDD
DDR2-800, 667
DDR2-533
Maximum undershoot area below VSS
DDR2-800, 667
DDR2-533
0.5
V
0.23
V-ns
0.28
V-ns
0.23
V-ns
0.28
V-ns
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
DQ, DQS, /DQS,
0.5
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDDQ
DDR2-800, 667
DDR2-533
Maximum undershoot area below VSSQ
DDR2-800, 667
DDR2-533
RDQS, /RDQS, DM
0.5
V
0.23
V-ns
0.28
V-ns
0.23
V-ns
0.28
V-ns
Maximum amplitude
Overshoot area
Undershoot area
Volts (V)
Time (ns)
VDD, VDDQ
VSS, VSSQ
Overshoot/Undershoot Definition
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE-5C-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE-5C-E | 256M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108AEBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
| EDE2108AEBG-8E-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
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