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參數(shù)資料
| 型號： | EDE2508ABSE-GE-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 2/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 708K |
| 代理商： | EDE2508ABSE-GE-E |
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EDE2508ABSE, EDE2516ABSE
Preliminary Data Sheet E0573E30 (Ver. 3.0)
2
Ordering Information
Part number
EDE2508ABSE-6C-E
EDE2508ABSE-6E-E
EDE2508ABSE-5C-E
EDE2516ABSE-6C-E
EDE2516ABSE-6E-E
EDE2516ABSE-5C-E
Mask
version
Organization
(words
×
bits)
Internal
Banks
Speed bin
(CL-tRCD-tRP)
DDR2-667 (4-4-4)
DDR2-667 (5-5-5)
DDR2-533 (4-4-4)
DDR2-667 (4-4-4)
DDR2-667 (5-5-5)
DDR2-533 (4-4-4)
Package
B
32M
×
8
4
60-ball FBGA (
μ
BGA)
16M
×
16
84-ball FBGA (
μ
BGA)
Part Number
Elpida Memory
Density / Bank
25: 256Mb / 4-bank
Organization
08: x8
16: x16
Power Supply, Interface
A: 1.8V, SSTL_18
Die Rev.
Package
SE: FBGA (
μ
BGA with back cover)
Speed
6C: DDR2-667 (4-4-4)
6E: DDR2-667 (5-5-5)
5C: DDR2-533 (4-4-4)
Product Family
E: DDR2
Type
D: Monolithic Device
E D E 25 08 A B SE - 6C - E
Environment code
E: Lead Free
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2516ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2516ABSE-GE-E | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE5104ABSE | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5104AGSE | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AGSE | Circular Connector; No. of Contacts:6; Series:MS27468; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Insert Arrangement:17-6 RoHS Compliant: No |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2508ACSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ACSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ACSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ACSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508AEBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
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