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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE2516ABSE-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 46/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 708K |
| 代理商： | EDE2516ABSE-6E-E |
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EDE2508ABSE, EDE2516ABSE
Preliminary Data Sheet E0573E30 (Ver. 3.0)
46
Write Data Mask
One write data mask (DM) pin for each 8 data bits (DQ) will be supported on DDR2 SDRAMs, Consistent with the
implementation on DDR-I SDRAMs. It has identical timings on write operations as the data bits, and though used in
a uni-directional manner, is internally loaded identically to data bits to insure matched system timing. DM is not used
during read cycles.
DQ
DQS
/DQS
T1
T2
T3
T4
T5
T6
DM
Write mask latency = 0
Data Mask Timing
in
in
in
in
in
in
in
in
/CK
CK
DQS, /DQS
DQ
DM
DQS, /DQS
DQ
DM
Command
[tDQSS(min.)]
tWR
tDQSS
WL
tDQSS
WL
[tDQSS(max.)]
WRIT
NOP
in0
in2 in3
in0
in2 in3
Data Mask Function, WL = 3, AL = 0 shown
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2508ABSE-GE | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE2516ABSE-GE | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE2508ABSE-GE-E | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE2516ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2516ABSE-GE-E | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2516ABSE-GE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE2516ABSE-GE-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE2516ACSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2516ACSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2516ACSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
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