參數(shù)資料
型號： FDG6322C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N & P Channel Digital FET
中文描述： 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： FDG6322C
FDG6322C Rev.F
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
Figure 11. On-Region Characteristics.
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 14. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
0
0.3
0.6
0.9
1.2
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V =-4.5V
-1.5V
-2.7V
-2.5V
-2.0V
-3.0V
0
0.2
0.4
-I , DRAIN CURRENT (A)
0.6
0.8
1
1.2
0.5
1
1.5
2
2.5
D
V = -2.0V
R
D
-3.5V
-4.5V
-2.7V
-2.5V
-3.0V
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -0.2A
T = 125 ° C
25° C
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -5V
T = -55°C
125°C
25°C
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -0.41A
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature.
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