參數(shù)資料
型號(hào)： FDG6322C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N & P Channel Digital FET
中文描述： 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： FDG6322C
FDG6322C Rev.F
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
(continued)
Figure 20. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 18. Capacitance Characteristics.
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I = -0.41A
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
25
40
0.01
0.05
0.1
0.5
1
3
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
RDSON LMT
D
A
T = 25°C
DC
1s
100ms
10ms
10s
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 415°C
JA
1ms
0.1
0.3
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
25
3
5
10
30
80
200
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C ss
00
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
200
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R =415°C/W
T = 25°C
A
JA
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