參數(shù)資料
型號： FQI19N10L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 19 A, 100 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 609K
代理商： FQI19N10L
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
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±
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4.50
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0.20
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±
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0.20
2
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0
1
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0
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°
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(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
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–0.05
D
2
PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB19N10L 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQI19N10 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQB19N10 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQI1N60 600V N-Channel MOSFET
FQB1N60 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI19N10LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI19N10TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI19N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-CHANNEL MOSFET
FQI19N20C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
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