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參數(shù)資料
| 型號： | FS50KMJ-3 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| 中文描述： | 高速開關(guān)使用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | FS50KMJ-3 |
Feb.1999
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (th)
r
DS (ON)
r
DS (ON)
V
DS (ON)
y
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
R
th (ch-c)
t
rr
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS50KMJ-3
HIGH-SPEED SWITCHING USE
V
μ
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
°
C/W
ns
150
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
23
24
0.58
62
8200
870
440
54
110
850
340
1.0
—
125
—
±
0.1
0.1
2.0
30
31
0.75
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
3.57
—
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tch = 25
°
C)
Drain-source breakdown voltage
Gate-source leakage current
Drain-source leakage current
Gate-source threshold voltage
Drain-source on-state resistance
Drain-source on-state resistance
Drain-source on-state voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Source-drain voltage
Thermal resistance
Reverse recovery time
Symbol
Unit
Parameter
Test conditions
Limits
Typ.
Min.
Max.
I
D
= 1mA, V
GS
= 0V
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA, V
DS
= 10V
I
D
= 25A, V
GS
= 10V
I
D
= 25A, V
GS
= 4V
I
D
= 25A, V
GS
= 10V
I
D
= 25A, V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V, f = 1MHz
V
DD
= 80V, I
D
= 25A, V
GS
= 10V, R
GEN
= R
GS
= 50
I
S
= 25A, V
GS
= 0V
Channel to case
I
S
= 50A, dis/dt = –100A/
μ
s
PERFORMANCE CURVES
0
10
20
30
40
50
0
200
50
100
150
POWER DISSIPATION DERATING CURVE
CASE TEMPERATURE T
C
(°C)
P
D
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
D
D
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
5V
V
GS
= 10V
D
D
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
5V
V
GS
= 10V
D
D
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
0
20
40
60
80
100
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
C
= 25°C
Pulse Test
4V
3V
P
D
= 35W
0
10
20
30
40
50
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
C
= 25°C
Pulse Test
4V
2.5V
3V
P
D
= 35W
10
0
3
10
0
2
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
2
3
5
7
10
1
3 5 7
2
10
2
3 5 7
2
10
3
3 5 7
tw = 10
m
s
100
m
s
1ms
10ms
DC
T
C
= 25°C
Single Pulse
100ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS50KMJ-3 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS50R12KT3 | echnische Information / technical information |
| FS50SM-06 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| FS50SM-06 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| FS50SM-2 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FS50KMJ-3(#B00) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| FS50KMJ-3-A8 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
| FS50P-12 | 功能描述:SINGLE O/P, DC-HV DC PCB MOUNT, 制造商:xp power 系列:XP EMCO - FS 包裝:盒 零件狀態(tài):有效 類型:高電壓 - 隔離模塊 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:0.7V 電壓 - 輸入（最大值）:12V 電壓 - 輸出 1:5000V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:2mA 功率（W） - 制造系列:10W 電壓 - 隔離:2.5kV（2500V） 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 特性:OTP，OVP 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-DIP 模塊 大小/尺寸:2.25" 長 x 1.12" 寬 x 0.50" 高（57.2mm x 28.5mm x 12.7mm） 工作溫度:-25°C ~ 75°C 效率:85% 功率（W） - 最大值:10W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| FS-50R 8 OHM | 功能描述:揚(yáng)聲器與變頻器 SS 500-4000Hz 8 OHM RoHS:否 制造商:PUI Audio 產(chǎn)品:Speakers 類型:Electromagnetic 頻率:900 Hz to 12 kHz 聲壓級:88 dBA 阻抗:8 Ohms 功率額定值:1.2 W 形狀:Round 端接類型:Solder Pad 直徑:15 mm 長度: 寬度: 深度:4.4 mm 磁體材料:Neodymium Iron Boran (NdFeB) 圓錐體材料:Mylar |
| FS50R067YL4 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A EASY PACK 2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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