參數(shù)資料
型號(hào)： FS50KMJ-3
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH-SPEED SWITCHING USE
中文描述： 高速開(kāi)關(guān)使用
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 43K
代理商： FS50KMJ-3
Feb.1999
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS50KMJ-3
HIGH-SPEED SWITCHING USE
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
T
C
= 25°C
V
DS
= 20V
Pulse Test
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
2
4
6
8
10
I
D
= 100A
T
C
= 25°C
Pulse Test
80A
20A
50A
40
0
8
16
24
32
10
0
3 5 7
2
10
1
3 5 7
2
10
2
3 5 7
2 3
V
GS
= 4V
T
C
= 25°C
Pulse Test
10V
10
2
3
2
5
7
10
3
2
3
5
7
10
4
2
3
2
5
7
10
0
2
10
1
3 5 7
3 5 7
2
10
2
3 5 7
2 3
Ciss
Crss
Coss
Tch = 25°C
f = 1MH
Z
V
GS
= 0V
10
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
4
2
3
5
7
10
0
10
1
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
Tch = 25°C
V
DD
= 80V
V
GS
= 10V
R
GEN
= R
GS
= 50
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
ON-STATE VOLTAGE VS.
GATE-SOURCE VOLTAGE
(TYPICAL)
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
D
V
D
ON-STATE RESISTANCE VS.
DRAIN CURRENT
(TYPICAL)
DRAIN CURRENT I
D
(A)
D
R
D
)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
D
D
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE
VS.DRAIN CURRENT
(TYPICAL)
DRAIN CURRENT I
D
(A)
F
A
y
f
(
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
CAPACITANCE VS.
DRAIN-SOURCE VOLTAGE
(TYPICAL)
DRAIN CURRENT I
D
(A)
C
C
S
10
0
10
1
2
3 4 5 7
10
2
2
3 4 5 7
10
0
10
1
2
3
4
5
7
10
2
2
3
4
5
7
T
C
= 25°C
75°C
125°C
V
DS
= 10V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FS50KMJ-3 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50R12KT3 echnische Information / technical information
FS50SM-06 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS50SM-06 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS50SM-2 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FS50KMJ-3(#B00) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
FS50KMJ-3-A8 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS50P-12 功能描述:SINGLE O/P, DC-HV DC PCB MOUNT, 制造商:xp power 系列:XP EMCO - FS 包裝:盒 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:高電壓 - 隔離模塊 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:0.7V 電壓 - 輸入（最大值）:12V 電壓 - 輸出 1:5000V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:2mA 功率（W） - 制造系列:10W 電壓 - 隔離:2.5kV（2500V） 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 特性:OTP，OVP 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:4-DIP 模塊 大小/尺寸:2.25" 長(zhǎng) x 1.12" 寬 x 0.50" 高（57.2mm x 28.5mm x 12.7mm） 工作溫度:-25°C ~ 75°C 效率:85% 功率（W） - 最大值:10W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
FS-50R 8 OHM 功能描述:揚(yáng)聲器與變頻器 SS 500-4000Hz 8 OHM RoHS:否 制造商:PUI Audio 產(chǎn)品:Speakers 類(lèi)型:Electromagnetic 頻率:900 Hz to 12 kHz 聲壓級(jí):88 dBA 阻抗:8 Ohms 功率額定值:1.2 W 形狀:Round 端接類(lèi)型:Solder Pad 直徑:15 mm 長(zhǎng)度: 寬度: 深度:4.4 mm 磁體材料:Neodymium Iron Boran (NdFeB) 圓錐體材料:Mylar
FS50R067YL4 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A EASY PACK 2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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