參數(shù)資料
型號： FS50KMJ-3
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： HIGH-SPEED SWITCHING USE
中文描述： 高速開關(guān)使用
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： FS50KMJ-3
Feb.1999
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS50KMJ-3
HIGH-SPEED SWITCHING USE
0
2
4
6
8
10
0
40
80
120
160
200
V
DS
= 50V
80V
100V
T
ch
= 25
°
C
I
D
= 50A
10
–1
10
0
2
3
4
5
7
10
1
2
3
4
5
7
–50
0
50
100
150
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
Pulse Test
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
–50
0
50
100
150
V
DS
= 10V
I
D
= 1mA
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
–50
0
50
100
150
V
GS
= 0V
I
D
= 1mA
0
20
40
60
80
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
C
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
V
GS
= 0V
Pulse Test
10
–2
10
–1
2
3
5
7
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
–4
23 57
23 57
23 57
23 57
10
0
23 57
10
1
23 57
10
2
10
–3
10
–2
10
–1
P
DM
tw
D
=
T
tw
T
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS.GATE CHARGE
(TYPICAL)
GATE CHARGE Q
g
(nC)
G
G
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE V
SD
(V)
S
S
CHANNEL TEMPERATURE Tch (
°
C)
D
D
°
C
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
G
V
G
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS
CHANNEL TEMPERATURE Tch (
°
C)
BREAKDOWN VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
PULSE WIDTH t
w
(s)
T
t
(
°
C
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
D
D
°
C
CHANNEL TEMPERATURE Tch (
°
C)
D
(
°
C
D
(
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FS50KMJ-3 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50R12KT3 echnische Information / technical information
FS50SM-06 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS50SM-06 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS50SM-2 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
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參數(shù)描述
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FS-50R 8 OHM 功能描述:揚(yáng)聲器與變頻器 SS 500-4000Hz 8 OHM RoHS:否 制造商:PUI Audio 產(chǎn)品:Speakers 類型:Electromagnetic 頻率:900 Hz to 12 kHz 聲壓級:88 dBA 阻抗:8 Ohms 功率額定值:1.2 W 形狀:Round 端接類型:Solder Pad 直徑:15 mm 長度: 寬度: 深度:4.4 mm 磁體材料:Neodymium Iron Boran (NdFeB) 圓錐體材料:Mylar
FS50R067YL4 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A EASY PACK 2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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