參數(shù)資料
型號(hào)： FZ1200R33KF2C-B5
廠商： EUPEC
英文描述： SANYO IC 15-PIN SIP
中文描述： IGBT的- Wechselrichter / IGBT的逆變器
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： FZ1200R33KF2C-B5
5
Technische Information / technical information
FZ1200R33KF2C
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 3/18/2003
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 1200 A, V = 1800 V, TY = 125°C,
C = 220 nF
R []
E
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
10000
8000
6000
4000
2000
0
Eóò
Eó
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,1
1
10
100
Zúì : IGBT
i:
rí[K/kW]:
í[s]:
τ
1
3,825
0,03
2
2,125
0,1
3
0,51
0,3
4
2,04
1
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 1,2 , TY = 125°C, C = 220 nF
V [V]
I
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
3000
2400
1800
1200
600
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
2400
2000
1600
1200
800
400
0
TY = 25°C
TY = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ1200R33KF2C IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZT458 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT489 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:11; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
FZT493 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:30; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
FZT549 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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FZ1200R33KL2C 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KL2C_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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