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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS81302TT07GE-333I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 26/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 1198K |
| 代理商： | GS81302TT07GE-333I |
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8M x 18 SigmaDDR-II+ SRAM—Top View
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A
CQ
SA
R/W
BW1
K
SA
LD
SA
CQ
B
NC
DQ9
NC
SA
NC
(288Mb)
K
BW0
SA
NC
DQ8
C
NC
VSS
SA
NC
SA
VSS
NC
DQ7
NC
D
NC
DQ10
VSS
NC
E
NC
DQ11
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ6
F
NC
DQ12
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ5
G
NC
DQ13
VDDQ
VDD
VSS
VDD
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NC
H
Doff
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
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ZQ
J
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ4
NC
K
NC
DQ14
VDDQ
VDD
VSS
VDD
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NC
DQ3
L
NC
DQ15
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ2
M
NC
VSS
NC
DQ1
NC
N
NC
DQ16
VSS
SA
VSS
NC
P
NC
DQ17
SA
QVLD
SA
NC
DQ0
R
TDO
TCK
SA
ODT
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm2 Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1. BW0 controls writes to DQ0:DQ8; BW1 controls writes to DQ9:DQ17
2. B5 is the expansion address.
GS81302TT07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 5/2011
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2011, GSI Technology
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816036AGT-250I | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS8160E36GT-250 | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS816118AGT-200IT | 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| GS8161E18GT-166I | 1M X 18 CACHE SRAM, 7 ns, PQFP100 |
| GS8162V18AGB-350I | 1M X 18 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA119 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS815018AB | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS815018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays |
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