參數(shù)資料
型號(hào)： GS8161Z36D-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 11/36頁(yè)
文件大?。?/td> 939K
代理商： GS8161Z36D-200I
GS8161Z18(T/D)/GS8161Z32(D)/GS8161Z36(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.15 11/2004
19/36
1998, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS8182S18BD-250I 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS8182S18BD-300I 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS8182T08GBD-167IT 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
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參數(shù)描述
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