型號: | GS8182S18BD-300I |
廠商: | GSI TECHNOLOGY |
元件分類: | SRAM |
英文描述: | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
封裝: | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
文件頁數(shù): | 2/37頁 |
文件大小: | 564K |
代理商: | GS8182S18BD-300I |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
GS8182T08GBD-167IT | 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
GS82032AT-4I | 64K X 32 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100 |
GS8342S36AE-200S | 1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
GS880Z18CT-250IVT | 512K X 18 ZBT SRAM, QFP100 |
GSIB6A20 | 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
GS8182S18D-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.45NS 165FBGA - Trays |
GS8182S18D-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.45NS 165FPBGA - Trays |
GS8182S36BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG) BURST OF 2 - Trays |
GS8182S36BD-167I | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG) BURST OF 2 - Trays |
GS8182S36BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG) BURST OF 2 - Trays |