- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296050 > GS8342S36AE-200S (GSI TECHNOLOGY) 1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8342S36AE-200S |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 18/37頁 |
| 文件大小： | 1576K |
| 代理商： | GS8342S36AE-200S |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當(dāng)前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
Preliminary
GS8342S08/09/18/36AE-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 6/2006
25/37
2006, GSI Technology
C
Controlled
W
rite-F
irst
T
imin
gDiag
ram
N
O
P
W
rite
A
R
ead
B
W
rit
eC
W
rit
eD
R
ea
dE
D
ese
le
ct
A
B
C
D
E
A
A+1
C
C+
1
D
D+1
A
A+1
C
C+
1
D
D+1
B
B+1
CQ
HQ
X
CQHQV
CHQZ
CHQV
CH
Q
X
CH
Q
X1
KH#
KH
KL
KH
KL
KH
KL
KH
KL
KHK
H
KHK
H
KH
D
X
DVK
H
KH
IX
IV
KH
IX
IV
KH
KHIX
IVKH
KHAX
AV
KH
KH#K
H
KL
KH
KL
KH
KL
KH
KL
KHK
H
KHK
H
K
Add
r
LD
R/W
BWx
D
C
Q
CQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS880Z18CT-250IVT | 512K X 18 ZBT SRAM, QFP100 |
| GSIB6A20 | 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| GT25C32-2UDLI-TR | 4K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| GT3020/L2C-B45562C4CB2/2T | SINGLE COLOR LED, COOL WHITE, 2.7 mm |
| GTXO-72T/FCK19.20MHZ | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 19.2 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8342S36AE-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 1MX36 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8342S36BD-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342S36GE-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:1M X 36 (36 MEG)SIGMASIO-II SEPERATE I/O BURST OF 2 - Trays |
| GS8342T06BD-450 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342T06BD-500 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。