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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8342S36AE-200S |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 25/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 1576K |
| 代理商： | GS8342S36AE-200S |
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Preliminary
GS8342S08/09/18/36AE-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 6/2006
31/37
2006, GSI Technology
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
Test Port Input Low Voltage
VILJ
–0.3
0.3 * VDD
V
1
Test Port Input High Voltage
VIHJ
0.6 * VDD
VDD +0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
VDD – 200 mV
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDD – 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –1 V < Vi < VDDn +1 V not to exceed 2.9 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ ≤ VIN ≤ VDDn
3. 0 V
≤ VIN ≤ VILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –2 mA
7. IOLJ = + 2 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOLJC = +100 uA
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS880Z18CT-250IVT | 512K X 18 ZBT SRAM, QFP100 |
| GSIB6A20 | 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| GT25C32-2UDLI-TR | 4K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| GT3020/L2C-B45562C4CB2/2T | SINGLE COLOR LED, COOL WHITE, 2.7 mm |
| GTXO-72T/FCK19.20MHZ | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 19.2 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8342S36AE-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 1MX36 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8342S36BD-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342S36GE-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:1M X 36 (36 MEG)SIGMASIO-II SEPERATE I/O BURST OF 2 - Trays |
| GS8342T06BD-450 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342T06BD-500 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
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