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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8342S36AE-200S |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 9/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 1576K |
| 代理商： | GS8342S36AE-200S |
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Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0 V
6
7
pF
Note: This parameter is sample tested.
Preliminary
GS8342S08/09/18/36AE-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 6/2006
17/37
2006, GSI Technology
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDDQ
Input low level
0 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
DQ
VT = VDDQ/2
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
VREF = 0.75 V
AC Test Load Diagram
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–2 uA
2 uA
Doff
IINDOFF
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–2 uA
2 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
(TA = 25
= 3.3 V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS880Z18CT-250IVT | 512K X 18 ZBT SRAM, QFP100 |
| GSIB6A20 | 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| GT25C32-2UDLI-TR | 4K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| GT3020/L2C-B45562C4CB2/2T | SINGLE COLOR LED, COOL WHITE, 2.7 mm |
| GTXO-72T/FCK19.20MHZ | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 19.2 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8342S36AE-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 1MX36 0.45NS 165FPBGA - Trays |
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| GS8342S36GE-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:1M X 36 (36 MEG)SIGMASIO-II SEPERATE I/O BURST OF 2 - Trays |
| GS8342T06BD-450 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342T06BD-500 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
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