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參數(shù)資料
| 型號： | GS8641E18F-200IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 1 MM PITCH, BGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 19/31頁 |
| 文件大小： | 769K |
| 代理商： | GS8641E18F-200IT |
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GS8641E18/32/36F-300/250/200/167
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 3/2005
26/31
2004, GSI Technology
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
VIHJ3
2.0
VDD3 +0.3
V1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
VILJ3
–0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
VIHJ2
0.6 * VDD2
VDD2 +0.3
V1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
VILJ2
–0.3
0.3 * VDD2
V1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–11
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn +2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ ≤ VIN ≤ VDDn
3. 0 V
≤ VIN ≤ VILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOLJC = +100 uA
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8641Z18GF-167T | 4M X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165 |
| GS8642V18E-250 | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8642ZV36GB-167IT | 2M X 36 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| GS864418GE-225IV | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8644V18GE-150 | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8641E18GF-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:4MBX18, DCD PIPELINE/FLOW THROUGH,PB-FREE,165 BGA,167MHZ,8NS - Trays |
| GS8641E18GF-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:4MBX18,DCD PIPELINE/FLOWTHROUGH,PB-FREE,165 BGA,250MHZ,6.5NS - Trays |
| GS8641E18GF-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:4MBX18,DCD PIPELINE/FLOWTHROUGH,PB-FREE,165 BGA,300MHZ,5.5NS - Trays |
| GS8641E32GF-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:2MBX32,DCD PIPELINE/FLOWTHROUGH,PB-FREE,165 BGA,300MHZ,5.5NS - Trays |
| GS8641E32GF-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:2MBX32,DCD PIPELINE/FLOWTHROUGH,PB-FREE,165 BGA,250MHZ,6.5NS - Trays |
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