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參數(shù)資料
| 型號： | GT25C32-2UDLI-TR |
| 廠商： | GIANTEC SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| 封裝： | 2 X 3 MM, GREEN, MO-229, DFN-8 |
| 文件頁數(shù)： | 9/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 781K |
| 代理商： | GT25C32-2UDLI-TR |
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
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Advanced Information Rev. 00C
07/16/09
IS25C32B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GT3020/L2C-B45562C4CB2/2T | SINGLE COLOR LED, COOL WHITE, 2.7 mm |
| GTXO-72T/FCK19.20MHZ | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 19.2 MHz |
| GTXO-72T/FCL19.80MHZ | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 19.8 MHz |
| GTXO-72T/FCP20.0MHZ | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
| GTXO-72T/FRM16.80MHZ | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 16.8 MHz |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GT25G101 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS |
| GT25G101(Q) | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 400V 170A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| GT25G101(SM) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR |
| GT25G101_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS |
| GT25G101SM | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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