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參數(shù)資料
| 型號： | H7N0608LS |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | H7N0608LS |
H7N0608LD, H7N0608LS, H7N0608LM
Rev.1.00, Oct.30.2003, page 7 of 11
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
= 0, –5 V
10 V
5 V
100
80
60
40
20
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E = 1
2
V
V – V
AP
DSS
DD
2
200
160
120
80
40
25
50
75
100
125
150
0
I
AP
= 40 A
V
DD
= 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
Pulse Test
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Channel Temperature Tch (
°
C)
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H7N1004LD | Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching |
| H7N1004M | Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching |
| H7N1004LM | Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching |
| H7N1004LS | Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching |
| H8-300 | In-Circuit Emulator for Renesas H8/300 and H8/500 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| H7N0608LS-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| H7N1002AB | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N1002LD | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N1002LD_09 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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