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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2165H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | HAT2165H |
HAT2165H
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 2 of 10
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
30
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
55
A
Drain peak current
I
D(pulse)
Note1
220
A
Body-drain diode reverse drain current
I
DR
I
AP
Note 2
E
AR
Note 2
Pch
Note3
θ
ch-C
Tch
55
A
Avalanche current
30
A
Avalanche energy
90
mJ
Channel dissipation
30
W
Channel to Case Thermal Resistance
4.17
°C/W
Channel temperature
150
°C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at Tch = 25°C, Rg
≥
50
3. Tc = 25°C
Tstg
–55 to +150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2165N | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2166H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2168H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HAT2165H_05 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165H-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 55A 5PIN LFPAK - Tape and Reel |
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| HAT2165N | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2165N_08 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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