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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2165H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應管電源開關 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | HAT2165H |
HAT2165H
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 5 of 10
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Case Temperature Tc (
°
C)
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
8
Pulse Test
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
250
200
150
100
50
0
4
8
12
16
20
6
4
2
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
Pulse Test
I = 50 A
10 A
20 A
R
D
I = 10 A, 20 A
D
10 A, 20 A, 50 A
V = 4.5 V
10 V
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
1000
100
30
300
1
0.3
3
0.1
Tc = -25
°
C
V = 10 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
10
Pulse Test
2
5
1
30
300
1
10
100
1000
3
V = 4.5 V
10 V
50 A
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PDF描述 |
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