型號(hào): | HAT2165H |
廠商: | Renesas Technology Corp. |
英文描述: | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
中文描述: | 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān) |
文件頁(yè)數(shù): | 9/10頁(yè) |
文件大?。?/td> | 80K |
代理商: | HAT2165H |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HAT2165N | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
HAT2166H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
HAT2168H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HAT2165H_05 | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
HAT2165H-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 55A 5PIN LFPAK - Tape and Reel |
HAT2165H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
HAT2165N | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
HAT2165N_08 | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |