參數(shù)資料
型號： HAT2173H-EL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應管電源開關
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： HAT2173H-EL-E
HAT2173H
Rev.2.00 Sep 26, 2005 page 3 of 7
Main Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
D
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
Tc = 75
°
C
25
°
C
-25
°
C
40
30
20
10
0
50
100
150
200
V
DS
= 10 V
Pulse Test
V
GS
= 5.0 V
10 V
8 V
5.2 V
5.4 V
5.6 V
5.8 V
6.2 V
6.0 V
Pulse Test
100
10
1
0.1
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
500
100
500
Tc = 25
°
C
1 shot Pulse
PW=10ms
10
μ
s
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
DCOpeaion
500
400
300
200
100
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
I
D
= 50 A
10 A
20 A
100
10
2
5
20
50
1
30
1
10
100
3
V
GS
= 8 V
10 V
Pulse Test
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PDF描述
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HAT2174N 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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