參數(shù)資料
型號： HAT2173H-EL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： HAT2173H-EL-E
HAT2173H
Rev.2.00 Sep 26, 2005 page 5 of 7
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
D. U. T
Rg
I
AP
Monitor
V
DS
Monitor
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E
AR
= 1
I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
Channel Temperature Tch (
°
C)
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
Pulse Width PW (s)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
s
100
80
60
40
20
25
50
75
100
125
150
0
I
AP
= 25 A
V
DD
= 50 V
duty < 0.1 %
Rg
≥
50
50
40
30
20
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
5 V
V
GS
= 0
10 V
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Tc = 25
°
C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
P
DM
PW
T
D =T
θ
ch - c(t) =
γ
s (t)
θ
ch - c
θ
ch - c = 4.17
°
C/ W, Tc = 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2179R Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
HAT2179R-EL-E Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
HAT2195R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2197R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2198R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT2173N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2173N-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2174H 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2174H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2174N 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*