參數資料
型號： HAT2244WP
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應管電源開關
文件頁數： 2/8頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： HAT2244WP
HAT2244WP
REJ03G1549-0400 Rev.4.00 Jun 13, 2007
Page 2 of 7
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
V
(BR)DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS(off)
R
DS(on)
R
DS(on)
|y
fs
|
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
t
rr
Min
80
—
—
0.8
—
—
42
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Typ
—
—
—
—
10
11.5
70
3520
410
160
1.2
60
9.5
9.0
9.5
14.5
56
9.5
0.83
50
Max
—
± 0.5
1
2.3
12.5
15.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.08
—
Unit
V
μ
A
μ
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
Test Conditions
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,
I
D
= 1 mA
I
D
= 15 A, V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 15 A, V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 15 A, V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
V
DD
= 25 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V, I
D
= 15 A
V
DD
30 V
R
L
= 2
Rg = 4.7
I
F
= 30 A, V
GS
= 0
Note4
I
F
= 30 A, V
GS
= 0
di
F
/ dt = 100 A/
μ
s
Drain to source breakdown voltage
Gate to source leak current
Zero gate voltage drain current
Gate to source cutoff voltage
Static drain to source on state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Gate Resistance
Total gate charge
Gate to source charge
Gate to drain charge
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Body–drain diode forward voltage
Body–drain diode reverse recovery time
Notes: 4. Pulse test
相關PDF資料
PDF描述
HAT2299WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT3001F
HAT3004R
HAT3006R TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | SO
HAT3010R
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參數描述
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