參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2244WP
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： HAT2244WP
HAT2244WP
REJ03G1549-0400 Rev.4.00 Jun 13, 2007
Page 5 of 7
Source to Drain Voltage V
SDF
(V)
R
F
50
40
30
20
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V
GS
= 0 V, –5 V
10 V
100
80
60
40
20
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (°C)
R
A
(
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I
AP
= 25 A
V
DD
= 50 V
duty < 0.1 %
Rg
≥
50
Pulse Width PW (s)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
s
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
1
DM
P
PW
T
D =T
θ
ch - c(t) =
γ
s (t)
θ
ch - c
θ
ch - c = 5
°
C/ W, Tc = 25
°
C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Tc = 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2299WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT3001F
HAT3004R
HAT3006R TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | SO
HAT3010R
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT2244WP_10 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2244WP-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 80V 30A WPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2261H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2265H 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2265H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A 5LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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