參數(shù)資料
型號(hào)： HM1-65642883
廠商： Intersil Corporation
英文描述： 8K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
中文描述： 8K的× 8異步的CMOS靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大小： 77K
代理商： HM1-65642883
6-227
Test Circuit
Burn-In Circuits
HM-65642/883
CERDIP
TOP VIEW
NOTES:
F0 = 100kHz
±
10%.
All resistors 47k
±
5%.
C = 0.01
μ
F Min.
VCC = 5.5V
±
0.5V.
VIH = 4.5V
±
10%.
VIL = -0.2V to +0.4V.
HM-65642/883
CLCC
TOP VIEW
NOTES:
F0 = 100kHz
±
10%.
C = 0.01
μ
F Min.
VCC = 5.5V
±
0.5V.
VIH = 4.5V
±
10%.
VIL = -0.2V to +0.4V.
DUT
1.5V
IOL
IOH
+
(NOTE 1) C
L
EQUIVALENT CIRCUIT
NOTE:
1. Test head capacitance.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
C
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
NC
F15
F10
F9
F8
F7
F6
F5
F4
F3
F2
F2
F2
F1
F16
F11
F12
F13
F0
F0
F2
F2
F2
F14
F2
F2
VCC
A8
A9
A11
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
G
E2
W
E1
D
D
G
N
D
D
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
F
F2
F
F
F
F
D
14 15 16
17 18
19
20
F9
F8
F7
F6
F5
F4
F3
DQ0
5
6
7
8
11
9
13
12
10
A8
A9
A11
NC
G
A10
DQ7
27
28
29
26
25
24
23
22
21
F11
F12
F14
F0
F13
F0
F2
F2
E
W
V
N
N
A
A
F
F
F
F
3
2
1
4
32 31
30
C
VCC
DQ6
E1
HM-65642/883
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM1-65642B883 8K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
HM1-65642C883 8K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
HM4-65642883 8K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
HM4-65642B883 8K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
HM1-6504883 Resistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HM1-65642-9 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM 8192X8 5V 150NS 150UA 28CDIP IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
HM1-65642B 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:8K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
HM1-65642B/883 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SRAM ASYNC SGL 5V 64KBIT 8KX8 150NS 28CDIP - Rail/Tube
HM1-65642B-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM
HM1-65642B883 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:8K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
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