- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296190 > HM5117405S-5 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5117405S-5 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/35頁(yè) |
| 文件大小： | 346K |
| 代理商： | HM5117405S-5 |
第1頁(yè)當(dāng)前第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)
HM5116405 Series, HM5117405 Series
10
Capacitance (Ta = 25
°C, V
CC = 5 V ±10%)
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
C
I1
—
5
pF
1
Input capacitance (Clocks)
C
I2
—
7
pF
1
Output capacitance (Data-in, Data-out) C
I/O
—
7
pF
1, 2
Notes : 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2.
CAS = V
IH to disable Dout.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM51256P-8 | 256K X 1 FAST PAGE DRAM, 85 ns, PDIP16 |
| HM514410AZ-7 | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PZIP20 |
| HM5315R50 | 1 ELEMENT, 0.5 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| HM55-141R3LF | Shielded Drum Compact Package Low Cost Inductors |
| HM55-211R3LF | High Sensitivity Signal Relay, 1 Form C, 400mW Type, 2 Coil Latching, Gold Contact |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5117405S-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
| HM5117405S-7 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (4-Mword ′ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh |
| HM5117405TS-5 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
| HM5117405TS-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
| HM5117405TS-7 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。