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參數(shù)資料
| 型號： | HM5117405S-5 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 |
| 文件頁數(shù)： | 3/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 346K |
| 代理商： | HM5117405S-5 |
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HM5116405 Series, HM5117405 Series
11
AC Characteristics (Ta = 0 to +70
°C, V
CC = 5 V ±10%, VSS = 0 V) *
1, *2, *18
Test Conditions
Input rise and fall time: 2 ns
Input levels: V
IL = 0 V, VIH = 3 V
Input timing reference levels: 0.8 V, 2.4 V
Output timing reference levels: 0.8 V, 2.0 V
Output load: 1 TTL gate + C
L (100 pF) (Including scope and jig)
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common parameters)
HM5116405/HM5117405
-5
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Random read or write cycle time
t
RC
84
—
104
—
124
—
ns
RAS precharge time
t
RP
30
—
40
—
50
—
ns
CAS precharge time
t
CP
7—10
—
13
—ns
RAS pulse width
t
RAS
50
10000 60
10000 70
10000 ns
CAS pulse width
t
CAS
7
10000 10
10000 13
10000 ns
Row address setup time
t
ASR
0—0—0—ns
Row address hold time
t
RAH
7—10
—
10
—ns
Column address setup time
t
ASC
0—0—0—ns
Column address hold time
t
CAH
7—10
—
13
—ns
RAS to CAS delay time
t
RCD
11
37
14
45
14
52
ns
3
RAS to column address delay time t
RAD
9
2512
3012
35ns
4
RAS hold time
t
RSH
10
—
13
—
13
—
ns
CAS hold time
t
CSH
35
—
40
—
45
—
ns
CAS to RAS precharge time
t
CRP
5—5—5—ns
OE to Din delay time
t
OED
13
—
15
—
18
—
ns
5
OE delay time from Din
t
DZO
0—0—0—ns
6
CAS delay time from Din
t
DZC
0—0—0—ns
6
Transition time (rise and fall)
t
T
250
2
50
250
ns
7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM51256P-8 | 256K X 1 FAST PAGE DRAM, 85 ns, PDIP16 |
| HM514410AZ-7 | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PZIP20 |
| HM5315R50 | 1 ELEMENT, 0.5 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| HM55-141R3LF | Shielded Drum Compact Package Low Cost Inductors |
| HM55-211R3LF | High Sensitivity Signal Relay, 1 Form C, 400mW Type, 2 Coil Latching, Gold Contact |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5117405S-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
| HM5117405S-7 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (4-Mword ′ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh |
| HM5117405TS-5 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
| HM5117405TS-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
| HM5117405TS-7 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
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