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參數(shù)資料
| 型號： | HM5117405S-5 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 |
| 文件頁數(shù)： | 34/35頁 |
| 文件大小： | 346K |
| 代理商： | HM5117405S-5 |
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HM5116405 Series, HM5117405 Series
8
DC Characteristics
(Ta = 0 to +70
°C, V
CC = 5 V ± 10%, VSS = 0 V) (HM5116405 Series)
HM5116405
-5
-6
-7
Parameter
Symbol
Min Max Min Max Min Max Unit
Test conditions
Operating current*
1
, *2
I
CC1
—
90
—
80
—70mA
t
RC = min
Standby current
I
CC2
—
2
—
2
—
2
mA
TTL interface
RAS, CAS = V
IH
Dout = High-Z
—
1
—
1
—
1
mA
CMOS interface
RAS, CAS
≥ V
CC – 0.2 V
Dout = High-Z
Standby current
(L-version)
I
CC2
—
150 —
150
A
CMOS interface
RAS, CAS
≥ V
CC – 0.2 V
Dout = High-Z
RAS-only refresh current*2
I
CC3
—
90
—
80
—70mA
t
RC = min
Standby current*
1
I
CC5
—5
—
5
mA
RAS = V
IH
CAS = V
IL
Dout = enable
CAS-before-RAS refresh
current
I
CC6
—
90
—
80
—70mA
t
RC = min
EDO page mode current*
1, *3 I
CC7
—
80
—
70
—65mA
t
HPC = min
Battery backup current
I
CC10
—
350 —
350
A
CMOS interface
Dout = High-Z, CBR
refresh: t
RC = 31.3 s
t
RAS ≤ 0.3 s
Input leakage current
I
LI
–10 10
A
0 V
≤ Vin ≤ 7 V
Output leakage current
I
LO
–10 10
A
0 V
≤ Vin ≤ 7 V
Dout = disable
Output high voltage
V
OH
2.4
V
CC
2.4
V
CC
2.4
V
CC
V
High Iout = –2 mA
Output low voltage
V
OL
0
0.4
0
0.4
0
0.4
V
Low Iout = 2 mA
Notes : 1. I
CC depends on output load condition when the device is selected.
I
CC max is specified at the
output open condition.
2. Address can be changed once or less while
RAS = V
IL.
3. Address can be changed once or less while
CAS = V
IH.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM51256P-8 | 256K X 1 FAST PAGE DRAM, 85 ns, PDIP16 |
| HM514410AZ-7 | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PZIP20 |
| HM5315R50 | 1 ELEMENT, 0.5 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| HM55-141R3LF | Shielded Drum Compact Package Low Cost Inductors |
| HM55-211R3LF | High Sensitivity Signal Relay, 1 Form C, 400mW Type, 2 Coil Latching, Gold Contact |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5117405S-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
| HM5117405S-7 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (4-Mword ′ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh |
| HM5117405TS-5 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
| HM5117405TS-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
| HM5117405TS-7 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH |
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