參數(shù)資料
型號(hào)： HM5257165BTD-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 15/62頁
文件大小： 463K
代理商： HM5257165BTD-75
HM5257165B/HM5257805B/HM5257405B-75/A6
Data Sheet E0081H10
15
Current state
CS
RAS
CAS
WE
Address
Command
Operation
Row active
H
×
×
×
×
×
DESL
NOP
L
H
H
H
NOP
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A
Begin read
L
H
L
L
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
Begin write
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
Precharge
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Read
H
×
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end
L
H
H
H
NOP
Continue burst to end
Continue burst read to
CAS
latency and New read
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A
L
H
L
L
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
Term burst read/start write
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
Term burst read and
Precharge
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Read with auto-
precharge
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end and
precharge
L
H
H
H
×
NOP
Continue burst to end and
precharge
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A
ILLEGAL*
4
L
H
L
L
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
ILLEGAL*
4
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
ILLEGAL*
4
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
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