參數資料
型號： HM5257165BTD-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數： 40/62頁
文件大?。?/td> 463K
代理商： HM5257165BTD-75
HM5257165B/HM5257805B/HM5257405B-75/A6
Data Sheet E0081H10
40
V
CC
, V
CC
Q
Power up sequence
Initialization sequence
100
μ
s
0 V
Low
Low
Low
CKE, DQM,
DQMU/DQML
CLK
CS
, DQ
200
μ
s
Power stabilize
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
SS
V
T
–0.5 to V
+ 0.5
(
≤
4.6 (max))
V
1
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
CC
Iout
–0.5 to +4.6
V
1
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.2
W
Operating temperature
0 to +60
°C
Storage temperature
Note:
1. Respect to V
SS
.
Tstg
–55 to +125
°C
DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +60
°
C)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
, V
CC
Q
V
SS
, V
SS
Q
V
IH
V
IL
3.0
3.6
V
1, 2
0
0
V
3
Input high voltage
2.0
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1, 4
Input low voltage
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
.
2. The supply voltage with all V
CC
and V
CC
Q pins must be on the same level.
3. The supply voltage with all V
SS
and V
SS
Q pins must be on the same level.
4. V
IH
(max) = V
CC
+ 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
CC
.
5. V
IL
(min) = V
SS
–
2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
SS
.
–
0.3
V
1, 5
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