參數(shù)資料
型號(hào)： HM5257165BTD-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 31/62頁(yè)
文件大?。?/td> 463K
代理商： HM5257165BTD-75
HM5257165B/HM5257805B/HM5257405B-75/A6
Data Sheet E0081H10
31
Read with auto precharge to Write command interval
1. Different bank:
When some banks are in the active state, the second write command (another bank) is
executed. However, DQM, DQMU/DQML must be set High so that the output buffer becomes High-Z before
data input. The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second command.
Read with Auto Precharge to Write Command Interval
(Different bank)
CLK
Command
BS
Dout
Din
CL = 2
CL = 3
READ A
WRIT
in B0
in B1
in B2
in B3
Burst Length = 4
bank0
Read A
bank3
Write
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQM,
DQMU/DQML
High-Z
2. Same bank:
The consecutive write command from read with auto precharge (the same bank) is illegal. It
is necessary to separate the two commands with a bank active command.
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PDF描述
HM5257165BTD-A6 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
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HM5257805B-75 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:30; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:18-30
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