參數(shù)資料
型號(hào)： HM5257165BTD-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 25/62頁(yè)
文件大小： 463K
代理商： HM5257165BTD-75
HM5257165B/HM5257805B/HM5257405B-75/A6
Data Sheet E0081H10
25
Write with auto-precharge:
In this operation, since precharge is automatically performed after completing
a burst write or single write operation, a precharge command need not be executed after each write operation.
The command executed for the same bank after the execution of this command must be the bank active
(ACTV) command. In addition, an interval of l
APW
is required between the final valid data input and input of
next command.
Burst Write (Burst Length = 4)
CLK
Command
DQ (input)
l
APW
I
RAS
ACTV
WRIT A
in0
in1
in2
in3
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command
and internal precharge " ".
Single Write
CLK
Command
DQ (input)
l
APW
I
RAS
ACTV
WRIT A
in
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command
and internal precharge " ".
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PDF描述
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