參數(shù)資料
型號： HM5425161B
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
中文描述： 256M SSTL_2 DDR SDRAM的接口143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz的4 Mword】16位】4-bank/8-Mword】8位】4銀行/ 16 Mword】4位】4 -銀行
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代理商： HM5425161B
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
29
Write with auto-precharge:
The precharge is automatically performed after completing a burst write
operation. The precharge operation is started t
WPD
(= BL/ 2 + 3) cycles after WRITA command issued. t
RCD
for WRITA should be determined so that t
RC
(ACTV to ACTV) spec. is obeyed when WRITA is issued
successively after a bank active command, that is t
RCD
(WRITA)
≥
t
RC
(min.)-t
RP
(min.)-t
WPD
. A column
command to the other banks can be issued the next cycle after the internal precharge command issued. Write
with auto-precharge command does not limit row commands execution for other bank. Refer to the
‘
Read
with Auto-Precharge Enabled, Write with Auto-Precharge Enabled
’
section
Burst Write
(Burst Length = 4)
D1
D2
D3
D4
CLK
CLK
DQ
Command
DM,
DMU/DML
t
RAS
(min)
t
RCD
(min)
t
RP
DQS,
DQSU/DQSL
ACTV
WRITA
ACTV
BL/2 + 3 cycles
t
WPD
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
Burst length = 4
NOP
NOP
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PDF描述
HM5425401B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
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HM5425161BTT-75A 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
HM5425801BTT-75A 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
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