參數(shù)資料
型號: HM5425161B
廠商: Elpida Memory, Inc.
英文描述: 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
中文描述: 256M SSTL_2 DDR SDRAM的接口143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz的4 Mword】16位】4-bank/8-Mword】8位】4銀行/ 16 Mword】4位】4 -銀行
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代理商: HM5425161B
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
43
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Supply voltage relative to V
SS
Voltage on inputs pin relative to V
ss
Voltage on I/O pins relative to V
SS
Short circuit output current
V
CC
, V
CCQ
Vti
1.0 to +3.6
V
1.0 to +3.6
V
VTio
0.5 to +3.6
V
Iout
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.0
W
Operating temperature
0 to +70
°
C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°
C
DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70
C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
, V
CCQ
V
SS
, V
SSQ
V
REF
(DC)
V
TT
V
IH
(DC)
V
IL
(DC)
V
IN
(DC)
2.3
2.5
2.7
V
1, 2
0
0
0
V
Input reference voltage
0.5
×
V
CCQ
0.05
V
REF
0.04
V
REF
+0.15
0.3
0.5
×
V
CCQ
V
REF
0.5
×
V
CCQ
+0.05
V
REF
+0.04
V
CCQ
+0.3
V
REF
0.15
V
CCQ
+ 0.3
V
1
Termination voltage
V
1
DC Input high voltage
V
1, 3, 8
DC Input low voltage
V
1, 4, 8
DC Input signal voltage
(CLK, /CLK)
0.3
V
5
DC differential input voltage
(CLK, /CLK)
Notes: 1. All parameters are referred to V
, when measured.
2. V
CCQ
must be lower than or equal to V
.
3. V
IH
is allowed to exceed V
up to 3.6 V for the period shorter than or equal to 5 ns.
4. V
IL
is allowed to outreach below V
SS
down to
1.0 V for the period shorter than or equal to 5 ns.
5. V
IN
(dc) specifies the allowable dc execution of each differential input.
6. V
ID
(dc) specifies the input differential voltage required for switching.
7. V
IH
(CLK) min assumed over V
REF
+ 0.15 V, V
IL
(CLK) max assumed under V
REF
0.15 V.
8. V
IH
(DC) and V
IL
(DC) are levels to maintain the current logic state.
V
ID
(DC)
0.36
V
CCQ
+ 0.6
V
6, 7
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PDF描述
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