參數(shù)資料
型號： HM5425401B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM)
中文描述： 256M DDR SDRAM的接口SSTL_2（256M SSTL_2接口的DDR同步DRAM）的
文件頁數(shù)： 28/62頁
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代理商： HM5425401B
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
28
Write with auto-precharge:
The precharge is automatically performed after completing a burst write
operation. The precharge operation is started t
WPD
(= BL/ 2 + 3) cycles after WRITA command issued. t
RCD
for WRITA should be determined so that t
RC
(ACTV to ACTV) spec. is obeyed when WRITA is issued
successively after a bank active command, that is t
RCD
(WRITA)
≥
t
RC
(min.)-t
RP
(min.)-t
WPD
. A column
command to the other active command can be issued the next cycle after the internal precharge command
issued. Write with auto-precharge command does not limit row commands execution for other bank.
Burst Write
(Burst Length = 4)
D1
D2
D3
D4
CLK
CLK
DQ
Command
DM,
DMU/DML
t
RAS
(min)
t
RCD
(min)
#
t
RP
DQS,
DQSU/DQSL
ACTV
WRITA
ACTV
BL/2 + 3 cycles
t
WPD
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
Burst length = 4
NOP
NOP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5425801B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM)
HM6116LP-2 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM
HM6116LP-3 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM
HM6116LP-4 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM
HM6116LFP-2 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM
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參數(shù)描述
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