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參數(shù)資料
| 型號： | HM5425401B |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| 中文描述： | 256M DDR SDRAM的接口SSTL_2（256M SSTL_2接口的DDR同步DRAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 31/62頁 |
| 文件大小： | 1016K |
| 代理商： | HM5425401B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當(dāng)前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
31
A Write command to the consecutive Write command Interval:
Destination row of the
consecutive write command
Bank
address
Row
address
State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
The consecutive write can be performed after an interval of no less
than 1 cycle to interrupt the preceding write operation.
2. Same
Different
—
Precharge the bank to interrupt the preceding write operation. t
after
the precharge command, issue the ACTV command. t
after the
ACTV command, the consecutive write command can be issued. See
‘A write command to the consecutive precharge interval’ section.
3. Different
Any
ACTIVE
The consecutive write can be performed after an interval of no less
than 1 cycle to interrupt the preceding write operation.
IDLE
Precharge the bank without interrupting the preceding write operation.
t
after the precharge command, issue the ACTV command. t
after
the ACTV command, the consecutive write command can be issued.
WRITE to WRITE Command Interval (same ROW address in the same bank)
"
#
!
A0
A1
B0
B1
B2
B3
CLK
CLK
Address
BA
Din
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
Bank0
Active
#
!
Burst length = 4
Bank0
NOP
DQS,
DQSU/DQSL
ACTV
NOP
WRIT
Row
Column A
WRIT
Column B
Column = A
Write
Column = B
Write
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5425801B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM6116LP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LP-3 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LP-4 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LFP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5425401BTT-10 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425401BTT-75A | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425401BTT-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425801B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425801BTT-10 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
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