- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370623 > HM5425401B (Hitachi,Ltd.) 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5425401B |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| 中文描述： | 256M DDR SDRAM的接口SSTL_2（256M SSTL_2接口的DDR同步DRAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 34/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 1016K |
| 代理商： | HM5425401B |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
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A Write command to the consecutive Read command interval: To complete the burst operation
Destination row of the
consecutive read command
Bank
address
Row
address
State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
To complete the burst operation, the consecutive read command
should be performed t
WRD
(= BL/ 2 + 2) after the write command.
Precharge the bank t
after the preceding write command. t
after
the precharge command, issue the ACTV command. t
after the
ACTV command, the consecutive read command can be issued. See
‘A read command to the consecutive precharge interval’ section.
2. Same
Different
—
3. Different
Any
ACTIVE
To complete a burst operation, the consecutive read command should
be performed t
WRD
(= BL/ 2 + 2) after the write command.
Precharge the bank independently of the preceding write operation.
t
after the precharge command, issue the ACTV command. t
after
the ACTV command, the consecutive read command can be issued.
IDLE
WRITE to READ Command Interval
D0
D1
D2
D3
Q2
Q0
Q1
CLK
CLK
DM,
DMU/DML
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
!
"
!
BL = 4
CL = 2
t
WRD
(min)
BL/2 + 2 cycle
DQS,
DQSU/DQSL
INPUT
OUTPUT
WRIT
NOP
NOP
READ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5425801B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM6116LP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LP-3 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LP-4 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LFP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5425401BTT-10 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425401BTT-75A | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425401BTT-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425801B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425801BTT-10 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
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