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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29V51211T-50 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| 中文描述： | 512M超過(guò)32113型快閃記憶體部門(mén)（542581248位） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | HN29V51211T-50 |
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HN29V51211 Series
22
Program, Erase and Erase Verify
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
Write cycle time
t
CWC
t
SCC
t
CES
t
CEH
t
WP
t
WPH
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
OEWS
120
—
—
ns
Serial clock cycle time
CE
setup time
CE
hold time
50
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
Write pulse time
60
—
—
ns
Write pulse high time
40
—
—
ns
Address setup time
50
—
—
ns
Address hold time
10
—
—
ns
Data setup time
50
—
—
ns
Data hold time
OE
setup time before command
write
OE
setup time before status
polling
OE
setup time before read
10
—
—
ns
0
—
—
ns
t
OEPS
40
—
—
ns
t
OER
t
DB
t
ASE
t
ASP
100
—
—
ns
Time to device busy
—
—
150
ns
Auto erase time
—
1.0
5.0
ms
Auto program time
Program(1), (3)
—
1.5
20.0
ms
Program(2)
t
ASP
t
ASP
—
1.0
20.0
ms
Program(4),
Data recovery write
WE
to SC delay time
CE
pulse high time
—
2.0
30.0
ms
t
WSD
t
CPH
t
SP
t
SPL
t
SDS
t
SDH
t
SW
t
SCS
t
SCHW
50
—
—
μs
200
—
—
ns
SC pulse width
20
—
—
ns
SC pulse low time
20
—
—
ns
Data setup time for SC
0
—
—
ns
Data hold time for SC
SC setup for
WE
SC setup for
CE
SC hold time for
WE
30
—
—
ns
CDE
= V
IL
50
—
—
ns
0
—
—
ns
20
—
—
ns
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PDF描述 |
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