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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27US08121M |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 28/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 729K |
| 代理商： | HY27US08121M |
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Rev 0.6 / Oct. 2004
28
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Table 14: AC Characteristics for Command, Address, Data Input (3.3V and 1.8V Device)
Note: 1. If t
ELWL
is less than 10ns, t
WLWH
must be minimum 35ns, otherwise, t
WLWH
may be minimum 25ns.
Symbol
Alt.
Symbol
Parameter
3.3V
Device
1.8V
Device
Unit
t
ALLWL
t
ALS
Address Latch Low to Write Enable Low
ALE Setup time
Min
0
ns
t
ALHWL
Address Latch Hith to Write Enable Low
t
CLHWL
t
CLS
Command Latch High to Write Enable Low
CL Setup time
Min
0
ns
t
CLLWL
Command Latch Low to Write Enable Low
t
DVWH
t
DS
Data Valid to Write Enable High
Data Setup time
Min
20
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
CE Setup time
Min
0
ns
t
WHALH
t
ALH
Write Enable High to Address Latch High
ALE Hold time
Min
10
ns
t
WHALL
Write Enable High to Address Latch Low
t
WHCLH
t
CLH
Write Enable High to Command Latch High
CLE hold time
Min
10
ns
t
WHCLL
Write Enable High to Command Latch Low
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Data Transition
Data Hold time
Min
10
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
CE Hold time
Min
10
ns
t
WHWH
t
WH
Write Enable High to Write Enable Low
WE High Hold time
Min
15
20
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
WE Pulse Width
Min
25
(1)
60
ns
t
WLWL
t
WC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write Cycle time
Min
50
80
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27USxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY29F002TC-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-45 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-55 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
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