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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F002TT-90 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 22/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 381K |
| 代理商： | HY29F002TT-90 |
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22
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
TEST CONDITIONS
Table 7. Test Specifications
t
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T
o
n
o
C
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v
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l
n
g
Figure 11. Test Setup
Measurement Level
1.5 V
Output
I
nput
1.5 V
0.0 V
3.0 V
HY29F002T-45, -55 Versions
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F002T-70, -90 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
n
5
5
T
T
0
3
5
0
0
4
5
-
-
1
0
0
7
9
-
-
t
U
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G
0
1
2
4
4
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(
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)
0
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V
V
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m
0
5
t
e
5
8
V
t
e
m
e
r
s
5
0
V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F040A | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-90I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F040A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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