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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F002TT-90 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 26/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 381K |
| 代理商： | HY29F002TT-90 |
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26
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, D
is the true data at the program address.
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 15. Program Operation Timings
Addresses
CE#
t
WC
0x555
PA
PA
PA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
WE#
Data
t
DS
t
DH
0xA0
PD
Status
t
WHWH1
t
VCS
V
CC
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
D
OUT
t
CH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F040A | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-90I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F040A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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