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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 39S128800CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit(4banks × 4MBit × 8) Synchronous DRAM(128M(4列 × 4M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128兆位（4banks ×的4Mb × 8）同步DRAM（128M的（4 × 4分列位× 8）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 23/42頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | HYB 39S128800CT |
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HYB39S128400/800/160CT(L)
128MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Intrerval
4.1 Read to Write Interval
SPT03713
CLK
Read A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1 DOUT B2
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
, DQ’s
CK2
t
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read B
DOUT B3
DOUT B1
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B3
DOUT B2
Commands = 4 + 1 = 5 cycles
Minimum delay between the Read and Write
DOUT A0
DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
DQMx
Command
CLK
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DIN B0
DIN B1
SPT03787
DIN B2
DQW
NOP
DQZ
t
NOP
t
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
Write latency
of DQMx
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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